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STGW30NC60W

产品描述IGBT Transistors N-Ch 600 V 30 A Ultra Fast PowerMESH
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小445KB,共16页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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STGW30NC60W概述

IGBT Transistors N-Ch 600 V 30 A Ultra Fast PowerMESH

STGW30NC60W规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-247AC
包装说明ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)60 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
门极发射器阈值电压最大值5.75 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-247AC
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)200 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)189 ns
标称接通时间 (ton)42.5 ns
Base Number Matches1

STGW30NC60W相似产品对比

STGW30NC60W STGP30NC60W
描述 IGBT Transistors N-Ch 600 V 30 A Ultra Fast PowerMESH IGBT Transistors N-channel MOSFET
Brand Name STMicroelectronics STMicroelectronics
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 TO-247AC TO-220AB
包装说明 ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数 3 3
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 60 A 60 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V
配置 SINGLE SINGLE
门极发射器阈值电压最大值 5.75 V 5.75 V
门极-发射极最大电压 20 V 20 V
JEDEC-95代码 TO-247AC TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 200 W 200 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 189 ns 189 ns
标称接通时间 (ton) 42.5 ns 42.5 ns
Base Number Matches 1 1

 
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