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TK31E60XS1X

产品描述MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小252KB,共11页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TK31E60XS1X概述

MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)

TK31E60XS1X规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Toshiba(东芝)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-220-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage600 V
Id - Continuous Drain Current7.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance73 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage3.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage30 V
Qg - Gate Charge65 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
230 W
Channel ModeEnhancement
高度
Height
15.1 mm
长度
Length
10.16 mm
Transistor Type1 N-Channel
宽度
Width
4.45 mm
Fall Time6 ns
NumOfPackaging1
Rise Time22 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
50
Typical Turn-Off Delay Time130 ns
Typical Turn-On Delay Time55 ns
单位重量
Unit Weight
0.211644 oz
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