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CBCP69

产品描述Bipolar Transistors - BJT 25V 2A PNP
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小353KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CBCP69概述

Bipolar Transistors - BJT 25V 2A PNP

CBCP69规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明PLASTIC PACKAGE-4
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)60
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)65 MHz
Base Number Matches1

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CBCP68 NPN
CBCP69 PNP
SURFACE MOUNT SILICON
COMPLEMENTARY
SMALL SIGNAL TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBCP68 and
CBCP69 are complementary silicon transistors
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy
molded in a surface mount package, designed for
applications requiring high current capability.
MARKING: FULL PART NUMBER
SOT-223 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Continuous Base Current
Peak Base Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
A
A
mA
mA
W
°C
°C/W
25
20
5.0
1.0
2.0
100
200
2.0
-65 to +150
62.5
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
ICBO
VCB=25V
ICBO
VCB=25V, TA=150°C
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC=10µA
25
BVCEO
IC=10mA
20
BVEBO
IE=1.0µA
5.0
VCE(SAT)
IC=1.0A, IB=100mA
VBE(ON)
VBE(ON)
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
VCE=10V, IC=5.0mA
VCE=1.0V, IC=1.0A
VCE=10V, IC=5.0mA
VCE=1.0V, IC=500mA
VCE=1.0V, IC=1.0A
VCE=5.0V, IC=10mA, f=20MHz
VCB=5.0V, IE=0, f=450kHz
0.6
MAX
10
1.0
10
UNITS
µA
mA
µA
V
V
V
V
V
V
0.5
1.0
50
85
60
65
25
375
MHz
pF
R6 (4-August 2017)
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