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THS4508RGTT

产品描述Wideband Fully Differential Amplifier 16-VQFN -40 to 85
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小1MB,共36页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
相似器件已查找到8个与THS4508RGTT功能相似器件
敬请期待 详细参数

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THS4508RGTT概述

Wideband Fully Differential Amplifier 16-VQFN -40 to 85

THS4508RGTT规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码QFN
包装说明HVQCCN, LCC16,.12SQ,20
针数16
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)15.5 µA
标称带宽 (3dB)300 MHz
25C 时的最大偏置电流 (IIB)15.5 µA
标称共模抑制比90 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)3.6 µA
最大输入失调电压4000 µV
JESD-30 代码S-PQCC-N16
JESD-609代码e4
长度3 mm
低-偏置NO
低-失调NO
微功率NO
湿度敏感等级2
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量1
端子数量16
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVQCCN
封装等效代码LCC16,.12SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源5 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
标称压摆率6400 V/us
最大压摆率42.5 mA
供电电压上限5.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽3000000 kHz
最小电压增益2511
宽带YES
宽度3 mm

与THS4508RGTT功能相似器件

器件名 厂商 描述
THS4508RGTTG4 Texas Instruments(德州仪器) Differential Amplifiers Wideband Fully Differential Amp
THS4508RGTR Texas Instruments(德州仪器) Differential Amplifiers Wideband Fully Differential Amp
THS4508RGTRG4 Texas Instruments(德州仪器) Differential Amplifiers Wideband Fully Differential Amp
THS4509RGTTG4 Texas Instruments(德州仪器) Wideband Operational Amplifier 16-VQFN -40 to 85
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