EEPROM 64K 1.65V EEPROM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 包装说明 | TSSOP-8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 10 MHz |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 长度 | 4.4 mm |
| 内存密度 | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 64KX1 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 3 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| RM25C64C-LTAI-B | RM25C64C-LTAI-T | |
|---|---|---|
| 描述 | EEPROM 64K 1.65V EEPROM | IC EEPROM 64KBIT 10MHZ 8TSSOP |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 包装说明 | TSSOP-8 | TSSOP, |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 10 MHz | 10 MHz |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| 长度 | 4.4 mm | 4.4 mm |
| 内存密度 | 65536 bit | 65536 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 64KX1 | 64KX1 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP | TSSOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 串行总线类型 | SPI | SPI |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 3 mm | 3 mm |
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