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DTC143EET1: 产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小149KB，共12页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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DTC143EET1概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN

DTC143EET1规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码	SC-75
包装说明	CASE 463-01, SC-75, 3 PIN
针数	3
制造商包装代码	CASE 463-01
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	15
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	240
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

DTC143EET1相似产品对比

	DTC143EET1	DTC115EET1	DTC143ZET1	DTC114TET1	DTC123JET1	DTC144EET1	DTC124XET1
描述	Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN	Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN	Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN	Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN	Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN	Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN	Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	SC-75	SC-75	SC-75	SC-75	SC-75	SC-75	SC-75
包装说明	CASE 463-01, SC-75, 3 PIN	CASE 463-01, SC-75, 3 PIN	CASE 463-01, SC-75, 3 PIN	CASE 463-01, SC-75, 3 PIN	CASE 463-01, SC-75, 3 PIN	CASE 463-01, SC-75, 3 PIN	CASE 463-01, SC-75, 3 PIN
针数	3	3	3	3	3	3	3
制造商包装代码	CASE 463-01	CASE 463-01	CASE 463-01	CASE 463-01	CASE 463-01	CASE 463-01	CASE 463-01
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.1	BUILT-IN BIAS RESISTOR	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.047	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	15	80	80	160	80	80	80
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	240	240	240	240	240
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W	0.3 W	0.2 W	0.3 W	0.2 W	0.2 W	0.2 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn80Pb20)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn80Pb20)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	-	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)
湿度敏感等级	1	-	1	1	-	1	1

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