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PN2907A

产品描述Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SW
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小386KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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PN2907A在线购买

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PN2907A概述

Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SW

PN2907A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码TO-92
包装说明TO-92, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SW
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.625 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
最大关闭时间(toff)100 ns
最大开启时间(吨)45 ns

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PN2906
PN2907
PN2906A
PN2907A
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
PNP SILICON TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR PN2906, PN2907
series types are silicon PNP epitaxial planar transistors
designed for small signal, general purpose switching
applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
TO-92 CASE
PN2906
PN2907
60
40
5.0
600
625
-65 to +150
200
PN2906A
PN2907A
60
60
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
PN2906
PN2907
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
ICBO
VCB=50V
-
20
ICEV
VCE=30V, VEB=0.5V
-
50
BVCBO
IC=10μA
60
-
BVCEO
IC=10mA
40
-
BVEBO
IE=10μA
5.0
-
VCE(SAT)
IC=150mA, IB=15mA
-
0.4
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
fT
Cob
Cib
ton
toff
IC=500mA,
IC=150mA,
IC=500mA,
VCE=20V,
VCB=10V,
IB=50mA
IB=15mA
IB=50mA
-
-
-
200
-
-
-
-
1.6
1.3
2.6
-
8.0
30
45
100
PN2906A
PN2907A
MIN
MAX
-
10
-
50
60
60
5.0
-
-
-
-
200
-
-
-
-
-
-
-
0.4
1.6
1.3
2.6
-
8.0
30
45
100
UNITS
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
MHz
pF
pF
ns
ns
IC=50mA, f=200MHz
IE=0, f=1.0MHz
VEB=2.0V, IC=0, f=1.0MHz
VCC=30V, IC=150mA, IB1=15mA
VCC=6.0V, IC=150mA, IB1=IB2=15mA
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