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GLT5160L16I-8TC

产品描述Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50
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文件大小442KB,共46页
制造商G-Link Technology
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GLT5160L16I-8TC概述

Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50

GLT5160L16I-8TC规格参数

参数名称属性值
厂商名称G-Link Technology
包装说明TSOP, TSOP50,.46,32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间6 ns
最大时钟频率 (fCLK)125 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G50
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
端子数量50
字数1048576 words
字数代码1000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP
封装等效代码TSOP50,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.14 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

GLT5160L16I-8TC相似产品对比

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描述 Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50 Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50 Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PBGA60 Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60 Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50 Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PBGA48 Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO50 Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PBGA48
厂商名称 G-Link Technology G-Link Technology G-Link Technology G-Link Technology G-Link Technology G-Link Technology G-Link Technology G-Link Technology
包装说明 TSOP, TSOP50,.46,32 TSOP, TSOP50,.46,32 FBGA, BGA60,7X15,25 FBGA, BGA60,7X15,25 TSOP, TSOP50,.46,32 FBGA, BGA48,6X8,30 TSOP, TSOP50,.46,32 FBGA, BGA48,6X8,30
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 6 ns 6 ns 7 ns 5.5 ns 5.5 ns 7 ns 7 ns 6 ns
最大时钟频率 (fCLK) 125 MHz 143 MHz 100 MHz 166 MHz 166 MHz 100 MHz 100 MHz 143 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G50 R-PDSO-G50 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PDSO-G50 R-PBGA-B48 R-PDSO-G50 R-PBGA-B48
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16 16 16 16 16 16 16 16
端子数量 50 50 60 60 50 48 50 48
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
最高工作温度 85 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP TSOP FBGA FBGA TSOP FBGA TSOP FBGA
封装等效代码 TSOP50,.46,32 TSOP50,.46,32 BGA60,7X15,25 BGA60,7X15,25 TSOP50,.46,32 BGA48,6X8,30 TSOP50,.46,32 BGA48,6X8,30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, FINE PITCH
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A
最大压摆率 0.14 mA 0.15 mA 0.12 mA 0.17 mA 0.17 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.15 mA
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING BALL BALL GULL WING BALL GULL WING BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.635 mm 0.635 mm 0.8 mm 0.75 mm 0.8 mm 0.75 mm
端子位置 DUAL DUAL BOTTOM BOTTOM DUAL BOTTOM DUAL BOTTOM
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1
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