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SMBJ13A-52

产品描述ESD Suppressors / TVS Diodes 600W 13V 5% Uni
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小105KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SMBJ13A-52概述

ESD Suppressors / TVS Diodes 600W 13V 5% Uni

SMBJ13A-52规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-214AA
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大击穿电压15.9 V
最小击穿电压14.4 V
击穿电压标称值15.15 V
最大钳位电压21.5 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压13 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式C BEND
端子位置DUAL

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SMBJ3V3
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Surface Mount T
RANS
Z
ORB®
Transient Voltage Suppressors
FEATURES
• Uni-directional polarity only
• Peak pulse power: 600 W (10/1000 μs)
• Excellent clamping capability
• Very fast response time
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,
LF maximum peak of 260 °C
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization: For definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
DO-214AA (SMBJ)
TYPICAL APPLICATIONS
Use in sensitive electronics protection against voltage
transients induced by inductive load switching and lighting
on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units specifically for
protecting 3.3 V supplied sensitive equipment against
transient overvoltages.
4.1 V
3.3 V
600 W
5W
60 A
175 °C
PRIMARY CHARACTERISTICS
V
BR
(uni-directional)
V
WM
P
PPM
P
D
I
FSM
(uni-directional only)
T
J
max.
Polarity
Package
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AA (SMBJ)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS-compliant and commercial grade
Base P/NHE3 - RoHS-compliant and AEC-Q101 qualified
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HE3 suffix
meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Color band denotes cathode end
Uni-directional
DO-214AA (SMBJ)
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Peak pulse power dissipation
(1)(2)
Peak pulse current with a 10/1000 μs waveform (fig. 1)
Peak pulse current with a 8/20 μs waveform (fig. 1)
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
(2)
Power dissipation on infinite heatsink, T
A
= 75 °C
Operating junction and storage temperature range
Notes
(1)
Non-repetitive current pulse, per fig. 1
(2)
Mounted on 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pads to each terminal
SYMBOL
P
PPM
I
PP
I
PPM
I
FSM
P
D
T
J
, T
STG
VALUE
600
50
200
60
5
-65 to +175
UNIT
W
A
A
A
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
DEVICE
TYPE
DEVICE
MARKING
CODE
BREAKDOWN
VOLTAGE
V
BR
AT I
T
MIN.
V
SMBJ3V3
KC
4.1
mA
1.0
MAXIMUM
REVERSE
LEAKAGE
CURRENT
I
R
AT V
WM
μA
200
TYPICAL
MAXIMUM MAXIMUM
TYPICAL
JUNCTION
STAND-OFF CLAMPING CLAMPING
TEMPERATURE
CAPACITANCE
VOLTAGE VOLTAGE
VOLTAGE
COEFFICIENT
C
J
AT 0 V
V
C
AT I
PP
V
C
AT I
PPM
V
WM
OF V
BR
1 MHz
10/1000 μs
8/20 μs
V
3.3
V
7.3
A
50
V
10.3
A
200
10
-4
/°C
-5.3
pF
5200
Revision: 13-Dec-13
Document Number: 88940
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
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