Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N3612BKTIN/LEAD

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1N3612BKTIN/LEAD: 产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM),; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小402KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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1N3612BKTIN/LEAD概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM),

1N3612BKTIN/LEAD规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.1 V
最大非重复峰值正向电流	40 A
元件数量	1
最高工作温度	175 °C
最大输出电流	1 A
最大重复峰值反向电压	400 V
最大反向恢复时间	2 µs
表面贴装	NO
Base Number Matches	1

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1N3611

1N3612

1N3957

1N3613

1N3614

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

GLASS PASSIVATED

SILICON RECTIFIERS

1.0 AMP, 200 THRU 1000 VOLT

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N3611 thru

1N3614, and 1N3957 are hermetically sealed, glass

passivated, general purpose silicon rectifiers ideal for

commercial, military, automotive and entertainment

applications requiring high reliability and failure free

performance.

MARKING: FULL PART NUMBER

GPR-1A CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL 1N3611 1N3612 1N3613 1N3614 1N3957 UNITS

Peak Repetitive Reverse Voltage

VRRM

200

400

600

800

1000

DC Blocking Voltage

RMS Reverse Voltage

Average Forward Current (TA=100°C)

Peak Forward Surge Current, tp=8.3ms

Operating and Storage Junction Temperature

ELECTRICAL

SYMBOL

trr

VR(RMS)

IFSM

TJ, Tstg

200

140

400

280

600

420

1.0

-65 to +175

800

560

1000

700

°C

CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

TEST CONDITIONS

TYP

VR=Rated VRRM

VR=Rated VRRM, TA=150°C

IF=1.0A

VR=4.0V, f=1.0MHz

IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A

MAX

5.0

200

1.1

2.0

UNITS

μA

μs

R1 (28-February 2013)

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