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SI8413DB-T1-E1

产品描述MOSFET 20V 6.5A 2.77W 48mohm @ 4.5V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小237KB,共10页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI8413DB-T1-E1在线购买

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SI8413DB-T1-E1概述

MOSFET 20V 6.5A 2.77W 48mohm @ 4.5V

SI8413DB-T1-E1规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Vishay(威世)
包装说明GRID ARRAY, S-XBGA-B4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4.8 A
最大漏极电流 (ID)4.8 A
最大漏源导通电阻0.063 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-XBGA-B4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.77 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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