MOSFET 20V 6.5A 2.77W 48mohm @ 4.5V
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
包装说明 | GRID ARRAY, S-XBGA-B4 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4.8 A |
最大漏极电流 (ID) | 4.8 A |
最大漏源导通电阻 | 0.063 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | S-XBGA-B4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2.77 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | BALL |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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