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AS7C1026B-15TCNTR: 产品描述SRAM 1M, 5V, 15ns FAST 64K x 16 Asynch SRAM; 产品类别存储存储; 文件大小111KB，共10页; 制造商Alliance Memory; 标准

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AS7C1026B-15TCNTR概述

SRAM 1M, 5V, 15ns FAST 64K x 16 Asynch SRAM

AS7C1026B-15TCNTR规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Alliance Memory
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2,
针数	44
Reach Compliance Code	compliant
Factory Lead Time	8 weeks
最长访问时间	15 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e3/e6
长度	18.415 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	44
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	10.16 mm

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March 2004

AS7C1026B

5 V 64K X 16 CMOS SRAM

Features

• Industrial and commercial versions

• Organization: 65,536 words × 16 bits

• Center power and ground pins for low noise

• High speed

- 10/12/15/20 ns address access time

- 5, 6, 7, 8 ns output enable access time

• Low power consumption: ACTIVE

- 605 mW / max @ 10 ns

• TTL-compatible, three-state I/O

• JEDEC standard packaging

• ESD protection

≥

2000 volts

• Latch-up current

≥

200 mA

- 44-pin 400 mil SOJ

- 44-pin TSOP 2-400

Pin arrangement

44-Pin SOJ (400 mil), TSOP 2

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

GND

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

A15

A14

A13

A12

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

GND

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

A10

A11

• Low power consumption: STANDBY

- 55 mW / max CMOS I/O

• 6 T 0.18 u CMOS technology

• Easy memory expansion with

inputs

Logic block diagram

Row decoder

I/O0–I/O7

I/O8–I/O15

I/O

buffer

Control circuit

Column decoder

A10

A12

A13

A14

A15

A11

Selection guide

-10

Maximum address access time

Maximum output enable access time

Maximum operating current

Maximum CMOS standby current

-12

100

-15

AS7C1026B

64 K × 16

Array

GND

-20

Unit

110

3/26/04, v 1.3

Alliance Semiconductor

P. 1 of 10

AS7C1026B-15TCNTR相似产品对比

	AS7C1026B-15TCNTR	AS7C1026B-20TCN	AS7C1026B-20JCNTR	AS7C1026B-20JCN	AS7C1026B-15JIN	AS7C1026B-12TCN	AS7C1026B-15JCNTR	AS7C1026B-12JCNTR
描述	SRAM 1M, 5V, 15ns FAST 64K x 16 Asynch SRAM	SRAM 1M, 5V, 20ns FAST 64K x 16 Asynch SRAM	SRAM 1M, 5V, 20ns FAST 64K x 16 Asynch SRAM	SRAM 1M, 5V, 20ns FAST 64K x 16 Asynch SRAM	SRAM 1M, 5V, 15ns FAST 64K x 16 Asynch SRAM	SRAM 1M, 5V, 12ns FAST 64K x 16 Asynch SRAM	SRAM 1M, 5V, 15ns FAST 64K x 16 Asynch SRAM	SRAM 1M, 5V, 12ns FAST 64K x 16 Asynch SRAM
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	SOJ	SOJ	SOJ	TSOP2	SOJ	SOJ
包装说明	TSOP2,	TSOP2, TSOP44,.46,32	SOJ,	SOJ,	SOJ,	TSOP2, TSOP44,.46,32	SOJ,	SOJ,
针数	44	44	44	44	44	44	44	44
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
最长访问时间	15 ns	20 ns	20 ns	20 ns	15 ns	12 ns	15 ns	12 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-J44	R-PDSO-J44	R-PDSO-J44	R-PDSO-G44	R-PDSO-J44	R-PDSO-J44
长度	18.415 mm	18.415 mm	28.575 mm	28.575 mm	28.575 mm	18.415 mm	28.575 mm	28.575 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	44	44	44	44	44	44	44	44
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	SOJ	SOJ	SOJ	TSOP2	SOJ	SOJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	245	245	245	260	245	NOT SPECIFIED
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	3.7592 mm	3.7592 mm	3.7592 mm	1.2 mm	3.7592 mm	3.7592 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	J BEND	J BEND	J BEND	GULL WING	J BEND	J BEND
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.8 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40	40	40	40	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm
厂商名称	Alliance Memory	Alliance Memory	Alliance Memory	Alliance Memory	Alliance Memory	-	-	-
JESD-609代码	e3/e6	e3/e6	e3/e6	e3/e6	e3/e6	e3/e6	e3/e6	-
端子面层	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	MATTE TIN/TIN BISMUTH	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	MATTE TIN/TIN BISMUTH	PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH	-
Base Number Matches	-	1	1	1	-	1	1	1

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