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VN0808L: 产品描述MOSFET 80V 4Ohm; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小344KB，共3页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com

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VN0808L概述

MOSFET 80V 4Ohm

VN0808L规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Microchip(微芯科技)
产品种类 Product Category	MOSFET
RoHS	N
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-92-3
Number of Channels	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	80 V
Id - Continuous Drain Current	300 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	4 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Configuration	Single
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	1 W
Channel Mode	Enhancement
高度 Height	5.33 mm
长度 Length	5.21 mm
Transistor Type	1 N-Channel
类型 Type	FET
宽度 Width	4.19 mm
NumOfPackaging	1
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1000
单位重量 Unit Weight	0.007760 oz

VN0808L相似产品对比

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描述	MOSFET 80V 4Ohm	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET 80V 4Ohm	MOSFET 80V 4Ohm	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	MOSFET 80V 4Ohm
制造商 Manufacturer	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)
产品种类 Product Category	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET	MOSFET
RoHS	N	Details	No	Details	Details	Details	N
技术 Technology	Si	Si	Si	Si	Si	Si	Si
安装风格 Mounting Style	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3	TO-92-3
Number of Channels	1 Channel	1 Channel	1 Channel	1 Channel	1 Channel	1 Channel	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V	80 V
Id - Continuous Drain Current	300 mA	300 mA	300 mA	300 mA	300 mA	300 mA	300 mA
Rds On - Drain-Source Resistance	4 Ohms	4 Ohms	4 Ohms	4 Ohms	4 Ohms	4 Ohms	4 Ohms
Configuration	Single	Single	Single	Single	Single	Single	Single
Channel Mode	Enhancement	Enhancement	Enhancement	Enhancement	Enhancement	Enhancement	Enhancement
Transistor Type	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel	1 N-Channel
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1000	2000	2000	2000	2000	2000	2000
单位重量 Unit Weight	0.007760 oz	0.016000 oz	0.007760 oz	0.016000 oz	0.016000 oz	0.016000 oz	0.007760 oz
Product Attribute	Attribute Value	-	-	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V	-	30 V	30 V	30 V	30 V	30 V
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C	-	- 55 C	- 55 C	- 55 C	- 55 C	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C	-	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C	+ 150 C
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	1 W	-	1 W	1 W	1 W	1 W	1 W
高度 Height	5.33 mm	-	5.33 mm	-	5.33 mm	5.33 mm	5.33 mm
长度 Length	5.21 mm	-	5.21 mm	-	5.21 mm	5.21 mm	5.21 mm
类型 Type	FET	-	FET	FET	-	-	FET
宽度 Width	4.19 mm	-	4.19 mm	-	4.19 mm	4.19 mm	4.19 mm
系列 Packaging	-	Reel	-	Reel	Reel	Reel	-
产品 Product	-	-	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal	MOSFET Small Signal

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