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TK4A60DASTA4QM

产品描述MOSFET N-ch 600V 3.5A TO-220SIS
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小258KB,共7页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TK4A60DASTA4QM概述

MOSFET N-ch 600V 3.5A TO-220SIS

TK4A60DASTA4QM规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Toshiba(东芝)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-220FP-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage600 V
Id - Continuous Drain Current3.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance1.7 Ohms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage2.4 V to 4.4 V
Vgs - Gate-Source Voltage30 V
Qg - Gate Charge11 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
35 W
Channel ModeEnhancement
高度
Height
15 mm
长度
Length
10 mm
Transistor Type1 N-Channel
宽度
Width
4.5 mm
Forward Transconductance - Min0.6 S
Fall Time8 ns
NumOfPackaging1
Rise Time18 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
50
Typical Turn-Off Delay Time55 ns
Typical Turn-On Delay Time40 ns

TK4A60DASTA4QM相似产品对比

TK4A60DASTA4QM TK4A60DA(STA4QM)
描述 MOSFET N-ch 600V 3.5A TO-220SIS MOSFET
Product Attribute Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
产品种类
Product Category
MOSFET MOSFET
技术
Technology
Si Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-220FP-3 TO-220FP-3
Number of Channels 1 Channel 1 Channel
Transistor Polarity N-Channel N-Channel
Configuration Single Single
高度
Height
15 mm 15 mm
长度
Length
10 mm 10 mm
Transistor Type 1 N-Channel 1 N-Channel
宽度
Width
4.5 mm 4.5 mm
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