MOSFET NFET IPAK 60V 18A 43 MOHM
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconductor |
是否无铅 | 不含铅 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
包装说明 | IPAK-3 |
针数 | 4 |
制造商包装代码 | 369 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 18 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 20 A |
最大漏极电流 (ID) | 20 A |
最大漏源导通电阻 | 0.05 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 36 W |
最大功率耗散 (Abs) | 36 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 76 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 20.6 ns |
最大开启时间(吨) | 19.1 ns |
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