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NTD5867NL-1G

产品描述MOSFET NFET IPAK 60V 18A 43 MOHM
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小117KB,共7页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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NTD5867NL-1G概述

MOSFET NFET IPAK 60V 18A 43 MOHM

NTD5867NL-1G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明IPAK-3
针数4
制造商包装代码369
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)18 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)20 A
最大漏极电流 (ID)20 A
最大漏源导通电阻0.05 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值36 W
最大功率耗散 (Abs)36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)76 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)20.6 ns
最大开启时间(吨)19.1 ns
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