SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn SRAM
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Alliance Memory |
零件包装代码 | TSOP2 |
包装说明 | TSOP2, TSOP44,.46,32 |
针数 | 44 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 8 weeks |
Samacsys Description | Alliance Memory AS6C8016-55ZIN SRAM Memory, 8Mbit, 2.7 → 5.5 V, 55ns 44-Pin TSOP |
最长访问时间 | 55 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G44 |
长度 | 18.41 mm |
内存密度 | 8388608 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 16 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 44 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 512KX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP2 |
封装等效代码 | TSOP44,.46,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 3/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
最大待机电流 | 0.00005 A |
最小待机电流 | 2 V |
最大压摆率 | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
宽度 | 10.16 mm |
AS6C8016-55ZIN | AS6C8016-55BINTR* | AS6C8016-55BINTR | AS6C8016-55BIN | |
---|---|---|---|---|
描述 | SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn SRAM | SRAM | SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn SRAM | SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn SRAM |
是否无铅 | 不含铅 | - | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 | 符合 |
Reach Compliance Code | compliant | - | compliant | compliant |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | - | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | - | NOT SPECIFIED | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | - | NOT SPECIFIED | 40 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved