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AS6C8016-55ZIN

产品描述SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn SRAM
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文件大小727KB,共12页
制造商Alliance Memory
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AS6C8016-55ZIN概述

SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn SRAM

AS6C8016-55ZIN规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Alliance Memory
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP44,.46,32
针数44
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time8 weeks
Samacsys DescriptionAlliance Memory AS6C8016-55ZIN SRAM Memory, 8Mbit, 2.7 → 5.5 V, 55ns 44-Pin TSOP
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G44
长度18.41 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量44
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.00005 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度10.16 mm

AS6C8016-55ZIN相似产品对比

AS6C8016-55ZIN AS6C8016-55BINTR* AS6C8016-55BINTR AS6C8016-55BIN
描述 SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn SRAM SRAM SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn SRAM SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn SRAM
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合
Reach Compliance Code compliant - compliant compliant
内存集成电路类型 STANDARD SRAM - STANDARD SRAM STANDARD SRAM
峰值回流温度(摄氏度) 260 - NOT SPECIFIED 260
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - NOT SPECIFIED 40
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