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SI2308DS-T1

产品描述MOSFET 60V 2.0A 1.25
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小83KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI2308DS-T1概述

MOSFET 60V 2.0A 1.25

SI2308DS-T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)2 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.25 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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Si2308DS
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
60
R
DS(on)
(Ω)
0.16 at V
GS
= 10 V
0.22 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
2.0
1.7
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
• TrenchFET
®
Power MOSFET
100 % R
g
Tested
TO-236
(SOT-23)
G
1
3
D
S
2
Top View
Si2308DS (A8)*
* Marking Code
Ordering Information:
Si2308DS-T1
Si2308DS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si2308DS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
b
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Limit
60
± 20
2.0
1.6
10
1.0
1.25
0.80
- 55 to 150
W
°C
A
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Ambient
c
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t
5 s.
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.
c. Surface Mounted on FR4 board.
For SPICE model information via the Worldwide Web:
www.vishay.com/www/product/spice.htm
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.
Document Number: 70797
S09-0133-Rev. D, 02-Feb-09
www.vishay.com
1
Symbol
R
thJA
Maximum
100
166
Unit
°C/W
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