MOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 零件包装代码 | DFN |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5 |
| 针数 | 8 |
| 制造商包装代码 | 511AB |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 30 weeks |
| 雪崩能效等级（Eas） | 20 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 7.6 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.032 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | S-PDSO-F5 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 5 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 3.2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 127 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| NVTFS5826NLTWG | NVTFS5826NLWFTWG | NVTFS5826NLWFTAG | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm | MOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 24mOhm SGL N-CH | MOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 24mOhm SGL N-CH |
| Brand Name | ON Semiconductor | ON Semiconductor | - |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | - |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | - |
| 针数 | 8 | 8 | - |
| 制造商包装代码 | 511AB | 511AB | - |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
| Factory Lead Time | 30 weeks | 23 weeks | - |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | Single | - |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 20 A | 20 A | - |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | - |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | - |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | - |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
| 最大功率耗散 (Abs) | 3.2 W | 22 W | - |
| 表面贴装 | YES | YES | - |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | - |
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