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MRF313

产品描述RF Bipolar Transistors RF Transistor
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小127KB,共1页
制造商ASI [ASI Semiconductor, Inc]
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MRF313概述

RF Bipolar Transistors RF Transistor

MRF313规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ASI [ASI Semiconductor, Inc]
产品种类
Product Category
RF Bipolar Transistors
RoHSDetails
Transistor TypeBipolar
技术
Technology
Si
Transistor PolarityNPN
DC Collector/Base Gain hfe Min20
Collector- Emitter Voltage VCEO Max30 V
Emitter- Base Voltage VEBO3 V
Continuous Collector Current150 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
305A-01
系列
Packaging
Tray
Operating Frequency400 MHz
类型
Type
RF Bipolar Small Signal
NumOfPackaging1
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
6.1 W

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MRF313
NPN SILICON RF TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
MRF313
is Designed for wide
band Amplifier Applications up to 400
MHz.
PACKAGE STYLE .200" 4L PILL
FEATURES:
P
G
= 15 dB min. at 1.0 W/ 400 MHz
Common Emitter for Improved
Stability
Omnigold™
Metalization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
O
O
150 mA
40 V
30 V
3.0 V
6.1 W @ T
C
= 25 C
-65 C to +200 C
-65 C to +150 C
28.5 C/W
O
O
O
O
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
I
CEO
h
FE
C
OB
P
G
η
C
I
C
= 10 mA
T
C
= 25 C
O
NONETEST
CONDITIONS
I
C
= 0.1 mA
I
E
= 1.0 mA
V
E
= 20 V
V
CE
= 10 V
V
CB
= 28 V
I
C
= 100 mA
f = 1.0 MHz
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
30
35
3.0
1.0
20
3.5
15
16
45
150
5.0
UNITS
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
V
CC
= 28 V
P
OUT
= 1.0 W
f = 400 MHz
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
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