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SQJ463EP-T1-GE3

产品描述MOSFET 40V 30A 83W P-Ch Automotive
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小186KB,共11页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SQJ463EP-T1-GE3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SQJ463EP-T1-GE3概述

MOSFET 40V 30A 83W P-Ch Automotive

SQJ463EP-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)125 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (ID)11 A
最大漏源导通电阻0.01 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)60 A
认证状态Not Qualified
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON

 
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