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HB56UW3272ETK-6F

产品描述EDO DRAM Module, 32MX72, 60ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168
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文件大小215KB,共27页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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HB56UW3272ETK-6F概述

EDO DRAM Module, 32MX72, 60ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168

HB56UW3272ETK-6F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度2415919104 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度72
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度53.34 mm
最大待机电流0.028 A
最大压摆率2.08 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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HB56UW3272ETK-F
EO
Description
Features
256MB Buffered EDO DRAM DIMM
32-Mword
×
72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module
(36 pcs of 16M
×
4 components)
E0100H10 (1st edition)
(Previous ADE-203-1124A (Z))
Jan. 31, 2001
The HB 56UW 3272ETK belongs to 8-byte DI MM (D ual in-line Memory Module) fa mily , and has bee n
deve loped an optimiz ed main memory solution for 4 and 8-byte proc essor applica tions.
The
HB 56UW 3272ETK is 32 M
×
72 Dyna mic R AM Module, mounted 36 piec es of 64-Mbit DR AM
(H M5165405) sea led in TS OP pac kage and 2 piec es of 16-bit line drive r sea led in TS SOP pac kage . The
HB56UW3272ETK offers Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode. An outline of
the HB 56UW 3272ETK is 168-pin socke t type pac kage (dua l lea d out). The ref ore, the HB 56UW 3272ETK
makes high density mounting possible without surface mount technology. The HB56UW3272ETK provides
common data inputs and outputs. De coupling ca pac itor s ar e mounted beside ea ch TS OP on the module
board.
168-pin socket type package (Dual lead out)
Outline : 133.35 mm (Length)
×
53.34 mm (Height)
×
4.00 mm (Thickness)
Lead pitch : 1.27 mm
Single 3.3 V supply: 3.3
±
0.3V
High speed
Access time: t
RAC
= 50 ns/60 ns (max)
Access time: t
CAC
= 18 ns/20 ns (max)
Low power dissipation
Active mode: 8.78 W/7.49 W (max)
Standby mode (TTL): 295.2 mW (max)
JEDEC standard outline buffered 8-byte DIMM
Buffered input except
RAS
and DQ
4-byte interleave enabled, dual address input (A0/B0)
EDO page mode capability
Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.
L
This Product become EOL in August, 2005.
o
Pr
du
ct

HB56UW3272ETK-6F相似产品对比

HB56UW3272ETK-6F HB56UW3272ETK-5F
描述 EDO DRAM Module, 32MX72, 60ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168 EDO DRAM Module, 32MX72, 50ns, CMOS, SOCKET TYPE, DIMM-168
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 50 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 2415919104 bit 2415919104 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 72 72
湿度敏感等级 1 1
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 168 168
字数 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 32MX72 32MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 225 225
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096
座面最大高度 53.34 mm 53.34 mm
最大待机电流 0.028 A 0.028 A
最大压摆率 2.08 mA 2.44 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1

 
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