EPROM 32M (2Mx16) 100ns
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | 0.315 X 0.630 INCH, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, FDIP-42 |
| 针数 | 42 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Samacsys Description | EPROM 32M (2Mx16) 100ns |
| 最长访问时间 | 100 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T42 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 54.635 mm |
| 内存密度 | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型 | UVPROM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 42 |
| 字数 | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 2MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | WDIP |
| 封装等效代码 | DIP42,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 245 |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.72 mm |
| 最大待机电流 | 0.00006 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.97 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm |
| M27V322-100F1 | M27V322-100B1 | |
|---|---|---|
| 描述 | EPROM 32M (2Mx16) 100ns | EPROM 32M (2Mx16) 100ns |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP |
| 包装说明 | 0.315 X 0.630 INCH, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, FDIP-42 | DIP, DIP42,.6 |
| 针数 | 42 | 42 |
| Reach Compliance Code | unknown | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 100 ns | 100 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T42 | R-PDIP-T42 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 长度 | 54.635 mm | 52.455 mm |
| 内存密度 | 33554432 bit | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型 | UVPROM | OTP ROM |
| 内存宽度 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 42 | 42 |
| 字数 | 2097152 words | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 | 2000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 2MX16 | 2MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | WDIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP42,.6 | DIP42,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 245 | 245 |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.72 mm | 5.08 mm |
| 最大待机电流 | 0.00006 A | 0.00006 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.63 V | 3.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.97 V | 2.97 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm |
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