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IPP04CN10N-G

产品描述MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 2
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小871KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IPP04CN10N-G概述

MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 2

IPP04CN10N-G规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-220-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage100 V
Id - Continuous Drain Current100 A
Rds On - Drain-Source Resistance3.9 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage4 V
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Qg - Gate Charge210 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
300 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Tube
高度
Height
15.65 mm
长度
Length
10 mm
Transistor Type1 N-Channel
类型
Type
OptiMOS 2 Power-Transistor
宽度
Width
4.4 mm
Forward Transconductance - Min165 S, 83 S
Fall Time25 ns
NumOfPackaging1
Rise Time78 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
500
Typical Turn-Off Delay Time76 ns
Typical Turn-On Delay Time34 ns
单位重量
Unit Weight
0.211644 oz

IPP04CN10N-G相似产品对比

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描述 MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 2 MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3
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