MOSFET 60V 32A N-Channel
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 包装说明 | LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | CASE 369C-01 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 313 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 32 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 32 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.026 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 93.75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 90 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| NTD32N06T4G | NTD32N06-1G | NTD32N06G | NTD32N06 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET 60V 32A N-Channel | MOSFET 60V 32A N-Channel | MOSFET 60V 32A N-Channel | MOSFET 60V 32A N-Channel |
| 包装说明 | LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3 | LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3 | LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3 | CASE 369C-01, DPAK-3 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 制造商包装代码 | CASE 369C-01 | CASE 369D-01 | 369C | CASE 369C-01 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 313 mJ | 313 mJ | 313 mJ | 313 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 32 A | 32 A | 32 A | 32 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 32 A | 32 A | 32 A | 32 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.026 Ω | 0.026 Ω | 0.026 Ω | 0.026 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 3 | 2 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 260 | NOT SPECIFIED | 240 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 93.75 W | 93.75 W | 93.75 W | 93.75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 90 A | 90 A | 90 A | 90 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | NO | YES | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | - | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
| 湿度敏感等级 | - | 1 | 1 | 1 |
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