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TSM250N02CX-RFG

产品描述MOSFET 20V, 5.8A, Single N- Channel Power MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小463KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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TSM250N02CX-RFG在线购买

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TSM250N02CX-RFG概述

MOSFET 20V, 5.8A, Single N- Channel Power MOSFET

TSM250N02CX-RFG规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Taiwan Semiconductor
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage20 V
Id - Continuous Drain Current5.8 A
Rds On - Drain-Source Resistance20 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage0.4 V
Vgs - Gate-Source Voltage4.5 V
Qg - Gate Charge7.7 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1.56 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
Transistor Type1 N-Channel
Forward Transconductance - Min6.5 S
Fall Time7.6 ns
NumOfPackaging3
Rise Time11.6 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
Typical Turn-Off Delay Time23.9 ns
Typical Turn-On Delay Time4.1 ns
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz

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TSM250N02CX
20V N-Channel Power MOSFET
SOT-23
Pin Definition:
1. Gate
2. Source
3. Drain
Key Parameter Performance
Parameter
V
DS
V
GS
= 4.5V
R
DS(on)
(max)
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 1.8V
Q
g
Value
20
25
35
55
7.7
Unit
V
nC
Ordering Information
Part No.
Package
Packing
TSM250N02CX RFG
SOT-23
3kpcs / 7” Reel
Note:
“G” denotes for Halogen- and Antimony-free as those which
contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl)
and <1000ppm antimony compounds
Block Diagram
N-Channel MOSFET
Absolute Maximum Ratings
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
(Note 1)
Symbol
V
DS
V
GS
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
STG
Limit
20
±10
5.8
3.7
23.2
1.56
150
-55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
W
°C
°C
Power Dissipation @ T
C
= 25°C
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Thermal Performance
Parameter
Thermal Resistance - Junction to Ambient
Symbol
R
ӨJA
Limit
80
Unit
°C/W
1/5
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