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AH239-80

产品描述Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to KA Band, 6.82pF C(T), 22V, Gallium Arsenide, Hyperabrupt
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小179KB,共4页
制造商Thales Group
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AH239-80概述

Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to KA Band, 6.82pF C(T), 22V, Gallium Arsenide, Hyperabrupt

AH239-80规格参数

参数名称属性值
厂商名称Thales Group
包装说明O-XEMW-F2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压22 V
配置SINGLE
二极管电容容差20%
标称二极管电容6.82 pF
二极管元件材料GALLIUM ARSENIDE
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带VERY HIGH FREQUENCY TO KA BAND
JESD-30 代码O-XEMW-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
认证状态Not Qualified
最小质量因数1500
最大反向电流0.1 µA
反向测试电压10 V
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置END
变容二极管分类HYPERABRUPT
Base Number Matches1
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