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CZT2680

产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage Switching
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小422KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CZT2680概述

Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage Switching

CZT2680规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码SOT-223
包装说明SOT-223, 4 PIN
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压200 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz

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