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FMMT2369ATC

产品描述Bipolar Transistors - BJT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小53KB,共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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FMMT2369ATC概述

Bipolar Transistors - BJT

FMMT2369ATC规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Diodes
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
RoHSN
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-23-3
Transistor PolarityNPN
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max15 V
Collector- Base Voltage VCBO40 V
Emitter- Base Voltage VEBO4.5 V
Maximum DC Collector Current0.2 A
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Current Gain hFE Max40 at 10 mA at 1 V
高度
Height
1 mm
长度
Length
3.05 mm
宽度
Width
1.4 mm
DC Collector/Base Gain hfe Min40 at 10 mA at 1 V, 20 at 100 mA at 1 V
NumOfPackaging1
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
330 mW
单位重量
Unit Weight
0.000282 oz

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SOT23 NPN SILICON PLANAR
HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORS
ISSUE 3 – AUGUST 1995
APPLICATIONS
These devices are suitable for use in high speed, low current
switching applications
PARTMARKING DETAILS
FMMT2369
- 1J
FMMT2369R
- 9R
FMMTA2369A - P5
FMMTA2369AR - 9A
FMMT2369
FMMT2369A
C
B
SOT23
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
PARAMETER
SYMBOL
SYMBOL
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
40
40
15
4.5
200
330
-55 to +150
UNIT
V
V
V
V
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
Collector-Base
V
(BR)CBO
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
V
(BR)CEO
Breakdown Voltage V
(BR)CES
Emitter-Base
V
(BR)EBO
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off
I
CBO
Current
Collector-Emitter
V
CE(sat)
Saturation Voltage
Base-Emitter
V
BE(sat)
Saturation Voltage
h
FE
Static Forward
Current Transfer
Ratio
Output Capacitance C
obo
Turn-on Time
t
on
Turn-off Time
Storage Time
t
off
t
s
FMMT2369 FMMT2369A UNIT CONDITIONS.
MIN. MAX. MIN. MAX.
40
40
V
I
C
=10
µ
A, I
E
=0
15
40
4.5
400
0.25
0.7
40
20
20
4
12
18
13
0.85
120
0.7
40
20
4
12
18
13
pF
ns
ns
ns
15
40
4.5
25
0.20
0.85
120
V
V
V
nA
V
V
I
C
=10mA, I
B
=0*
I
C
=10
µ
A, V
BE
=0
I
E
=10
µ
A, I
C
=0
V
CB
=20V, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=1mA*
I
C
=10mA, I
B
=1mA*
I
C
=10mA, V
CE
=1V*
I
C
=10mA, V
CE
=1V, T
amb
=-55°C*
I
C
=100mA, V
CE
=1V*
I
C
=100mA, V
CE
=2V*
V
CB
=5V, I
E
=0, f=140KHz
V
CC
=3V, V
BE(off)
=1.5V I
C
=10mA,
I
B1
=3mA (See t
ON
circuit)
V
CC
=3V, I
C
=10mA, I
B1
=3mA
I
B2
=1.5mA(See t
OFF
circuit)
I
C
=I
B1
= I
B2
=10mA
(See Storage test circuit)
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
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