电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

PDM41022L45TCM

产品描述Standard SRAM, 256KX4, 45ns, CMOS, CDIP32
产品类别存储    存储   
文件大小521KB,共11页
制造商Paradigm Technology Inc
下载文档 详细参数 全文预览

PDM41022L45TCM概述

Standard SRAM, 256KX4, 45ns, CMOS, CDIP32

PDM41022L45TCM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Paradigm Technology Inc
包装说明DIP, DIP32,.4
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间45 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XDIP-T32
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0005 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.155 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 63  229  342  1064  1216 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved