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TS912BID

产品描述Operational Amplifiers - Op Amps Dual Rail-to-Rail 3V
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小1MB,共21页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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TS912BID概述

Operational Amplifiers - Op Amps Dual Rail-to-Rail 3V

TS912BID规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.0003 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.00015 µA
标称共模抑制比70 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压3000 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率YES
湿度敏感等级1
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/10 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
标称压摆率0.4 V/us
最大压摆率1.4 mA
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
标称均一增益带宽800 kHz
最小电压增益2000
宽度3.9 mm

TS912BID相似产品对比

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描述 Operational Amplifiers - Op Amps Dual Rail-to-Rail 3V Operational Amplifiers - Op Amps Dual Rail-to-Rail 3V Operational Amplifiers - Op Amps Dual Rail-to-Rail 3V Operational Amplifiers - Op Amps Low power with CMOS inputs Operational Amplifiers - Op Amps Dual Rail-to-Rail 3V
Brand Name STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 SOIC DIP SOIC SOIC DIP
包装说明 SOP, SOP8,.25 LEAD FREE, PLASTIC, DIP-8 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25 DIP, DIP8,.3
针数 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.0003 µA 0.0003 µA 0.0003 µA 0.0003 µA 0.0003 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.00015 µA 0.00015 µA 0.00015 µA 0.00015 µA 0.00015 µA
标称共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB 70 dB 70 dB
频率补偿 YES YES YES YES YES
最大输入失调电压 3000 µV 7000 µV 12000 µV 3000 µV 12000 µV
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8
长度 4.9 mm 9.145 mm 4.9 mm 4.9 mm 9.145 mm
低-偏置 YES YES YES YES YES
低-失调 NO NO NO NO NO
微功率 YES YES YES YES YES
功能数量 2 2 2 2 2
端子数量 8 8 8 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP SOP SOP DIP
封装等效代码 SOP8,.25 DIP8,.3 SOP8,.25 SOP8,.25 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
包装方法 TUBE TUBE TAPE AND REEL TR; TUBE TUBE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3/10 V 3/10 V 3/10 V 3/10 V 3/10 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 5.33 mm 1.75 mm 1.75 mm 5.33 mm
标称压摆率 0.4 V/us 0.4 V/us 0.4 V/us 0.4 V/us 0.4 V/us
最大压摆率 1.4 mA 1.4 mA 1.4 mA 1.4 mA 1.4 mA
供电电压上限 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES NO YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 800 kHz 800 kHz 800 kHz 800 kHz 800 kHz
最小电压增益 2000 2000 2000 2000 2000
宽度 3.9 mm 7.62 mm 3.9 mm 3.9 mm 7.62 mm
是否Rohs认证 符合 符合 符合 - 符合
JESD-609代码 e4 e3 e4 - e3
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Matte Tin (Sn) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) - Matte Tin (Sn)
Samacsys Description - STMicroelectronics TS912AIN, Op Amp, 1MHz, 3 V, 5 V, 9 V, 12 V, 15 V, 8-Pin PDIP TS912IDT, Dual Operational Amplifier 1MHz CMOS, Rail-Rail 3 to 15V, 8-Pin SO - Rail-to-Rail CMOS Dual Operational Amplifier
Factory Lead Time - - 10 weeks 10 weeks 12 weeks
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