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KSD261YBU

产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小276KB,共8页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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KSD261YBU概述

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

KSD261YBU规格参数

参数名称属性值
Brand NameFairchild Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
制造商包装代码3 LD, TO92 MOLDED TO-5 STANDARD LD FORM ( JO5Z OPTION)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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