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IRFR120NTRPBF

产品描述MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小388KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRFR120NTRPBF在线购买

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IRFR120NTRPBF概述

MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC

IRFR120NTRPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-2/3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time15 weeks
Samacsys DescriptionMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)91 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)9.4 A
最大漏极电流 (ID)9.4 A
最大漏源导通电阻0.21 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)48 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)38 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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PD - 95067A
IRFR/U120NPbF
Lead-Free
www.irf.com
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