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SI7110DN-T1-GE3

产品描述MOSFET 20V 21.1A 3.8W 5.3mohm @ 10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小533KB,共12页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI7110DN-T1-GE3在线购买

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SI7110DN-T1-GE3概述

MOSFET 20V 21.1A 3.8W 5.3mohm @ 10V

SI7110DN-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)61 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)13.5 A
最大漏极电流 (ID)13.5 A
最大漏源导通电阻0.0053 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-XDSO-C5
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)60 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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Si7110DN
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
20
R
DS(on)
(Ω)
0.0053 at V
GS
= 10 V
0.0078 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
21.1
17.4
Q
g
(Typ.)
14 nC
FEATURES
Halogen-free Option Available
• TrenchFET
®
Gen II Power MOSFET
• New Low Thermal Resistance PowerPAK
®
Package with Low 1.07 mm Profile
• PWM Optimized
• 100 % R
g
Tested
RoHS
COMPLIANT
PowerPAK 1212-8
APPLICATIONS
3.30 mm
S
1
2
3
4
D
8
7
6
5
D
D
D
S
S
G
3.30 mm
• Synchronous Rectification
• Synchronous Buck
D
G
Bottom View
S
Ordering Information:
Si7110DN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si7110DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Single Avalanche Current
Single Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
b, c
L = 0 1 mH
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
stg
3.8
2.0
- 55 to 150
260
3.2
35
61
1.5
0.8
mJ
W
°C
21.1
16.9
60
1.3
10 s
20
± 20
13.5
10.8
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Case (Drain)
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJC
Typical
24
65
1.9
Maximum
33
81
2.4
°C/W
Unit
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. See Solder Profile (
http://www.vishay.com/ppg?73257
). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.
Document Number: 73143
S-80581-Rev. E, 17-Mar-08
www.vishay.com
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