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CBR25F-010P

产品描述FAST RECOVERY SILICON BRIDGE RECTIFIERS
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小86KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CBR25F-010P概述

FAST RECOVERY SILICON BRIDGE RECTIFIERS

CBR25F-010P规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明PLASTIC PACKAGE-4
针数4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最小击穿电压100 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码S-PUFM-D4
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流25 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.2 µs
反向测试电压100 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

CBR25F-010P相似产品对比

CBR25F-010P CBR35F-010P CBR10F-010P
描述 FAST RECOVERY SILICON BRIDGE RECTIFIERS FAST RECOVERY SILICON BRIDGE RECTIFIERS FAST RECOVERY SILICON BRIDGE RECTIFIERS
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 PLASTIC PACKAGE-4 PLASTIC PACKAGE-4 PLASTIC PACKAGE-4
针数 4 4 4
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.3 V 1.3 V 1.3 V
JESD-30 代码 S-PUFM-D4 S-PUFM-D4 S-PUFM-D4
JESD-609代码 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 300 A 400 A 200 A
元件数量 4 4 4
相数 1 1 1
端子数量 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 25 A 35 A 10 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 100 V 100 V 100 V
最大反向恢复时间 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最小击穿电压 100 V 100 V -
最大反向电流 10 µA - 10 µA
反向测试电压 100 V - 100 V
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