MOSFET N-Channel 40V 5.4 mOhms 80A
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
雪崩能效等级(Eas) | 400 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 80 A |
最大漏极电流 (ID) | 80 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0065 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 110 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
STD90N4F3 | STP90N4F3 | |
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描述 | MOSFET N-Channel 40V 5.4 mOhms 80A | MOSFET N-channel 40V MOSFET |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 400 mJ | 400 mJ |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 40 V | 40 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 80 A | 80 A |
最大漏极电流 (ID) | 80 A | 80 A |
最大漏源导通电阻 | 0.0065 Ω | 0.0062 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 110 W | 110 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A | 320 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | NO |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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