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FDMC7678

产品描述MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小345KB,共9页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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FDMC7678概述

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

FDMC7678规格参数

参数名称属性值
Brand NameFairchild Semiconductor
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码MLP
包装说明SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
针数8
制造商包装代码8LD, MLP, PUNCHED, DUAL, JEDEC MO-240, VARIATION BA, 3.3MM SQUARE
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionMOSFET PowerTrench N-Ch 30V 19.5A MLP
其他特性ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)54 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)19.5 A
最大漏极电流 (ID)17.5 A
最大漏源导通电阻0.0053 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MO-240BA
JESD-30 代码S-PDSO-N5
JESD-609代码e4
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)31 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)70 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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