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AS7C1026C-15TINTR

产品描述SRAM 1M, 5V, 15ns FAST 64K x 16 Asynch SRAM
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文件大小289KB,共9页
制造商Alliance Memory
标准
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AS7C1026C-15TINTR概述

SRAM 1M, 5V, 15ns FAST 64K x 16 Asynch SRAM

AS7C1026C-15TINTR规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Alliance Memory
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2,
针数44
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time8 weeks
Is SamacsysN
最长访问时间15 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e3/e6
长度18.415 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量44
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

AS7C1026C-15TINTR相似产品对比

AS7C1026C-15TINTR AS7C1026C-15JINTR
描述 SRAM 1M, 5V, 15ns FAST 64K x 16 Asynch SRAM SRAM 1M, 5V, 15ns FAST 64K x 16 Asynch SRAM
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 TSOP2 SOJ
包装说明 TSOP2, SOJ,
针数 44 44
Reach Compliance Code compliant compliant
Factory Lead Time 8 weeks 8 weeks
最长访问时间 15 ns 15 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G44 R-PDSO-J44
JESD-609代码 e3/e6 e3/e6
长度 18.415 mm 28.575 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 16 16
功能数量 1 1
端子数量 44 44
字数 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 64KX16 64KX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 SOJ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 245
座面最大高度 1.2 mm 3.7592 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式 GULL WING J BEND
端子节距 0.8 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
宽度 10.16 mm 10.16 mm
Base Number Matches 1 1

 
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