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SI4482DY-T1

产品描述MOSFET 100V 4.6A 2.5W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小84KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI4482DY-T1概述

MOSFET 100V 4.6A 2.5W

SI4482DY-T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)4.6 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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Si4482DY
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
100
R
DS(on)
(Ω)
0.060 at V
GS
= 10 V
0.080 at V
GS
= 6 V
I
D
(A)
4.6
4.0
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
Top View
Ordering Information:
Si4482DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si4482DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
8
7
6
5
D
D
D
D
G
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Limit
100
± 20
4.6
3.7
40
2.1
2.5
1.6
- 55 to 150
W
°C
A
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t
10 s.
Symbol
R
thJA
Limit
50
Unit
°C/W
Document Number: 70749
S09-0767-Rev. C, 04-May-09
www.vishay.com
1

SI4482DY-T1相似产品对比

SI4482DY-T1 SI4482DY-E3
描述 MOSFET 100V 4.6A 2.5W MOSFET 100V 4.6A 2.5W
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 4.6 A 4.6 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.5 W 2.5 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
利用运算放大器实现的混频器
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