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SGA2463Z

产品描述RF Amplifier DC-5GHz SSG 17.1dB NF 3dB SiGe
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小964KB,共7页
制造商Qorvo
官网地址https://www.qorvo.com
标准
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SGA2463Z概述

RF Amplifier DC-5GHz SSG 17.1dB NF 3dB SiGe

SGA2463Z规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Qorvo
包装说明GREEN, SOT-363, 6 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码5A991.G
特性阻抗50 Ω
构造COMPONENT
增益18 dB
最大输入功率 (CW)18 dBm
JESD-609代码e3
安装特点SURFACE MOUNT
功能数量1
端子数量6
最大工作频率5000 MHz
最小工作频率
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码TSSOP6,.08
电源2.7 V
射频/微波设备类型WIDE BAND LOW POWER
最大压摆率23 mA
表面贴装YES
技术BIPOLAR
端子面层Matte Tin (Sn)

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SGA2463Z
SGA2463Z
DC to 5000MHz, CASCADABLE SiGe HBT
MMIC AMPLIFIER
Package: SOT-363
Product Description
The SGA2463Z is a high performance SiGe HBT MMIC Amplifier. A Darling-
ton configuration featuring one-micron emitters provides high F
T
and
excellent thermal performance. The heterojunction increases breakdown
voltage and minimizes leakage current between junctions. Cancellation of
emitter junction non-linearities results in higher suppression of intermodu-
lation products. Only two DC-blocking capacitors, a bias resistor, and an
optional RF choke are required for operation.
Optimum Technology
Matching® Applied
GaAs HBT
GaAs MESFET
InGaP HBT
SiGe BiCMOS
Si BiCMOS
Gain (dB)
18
IRL
12
ORL
6
0
0
1
24
GAIN
Features
Gain & Return Loss vs. Freq. @T
L
=+25°C
0
-10
-20
-30
-40
5
ES
Return Loss (dB)
GaAs pHEMT
Si CMOS
Si BJT
GaN HEMT
RF MEMS
FO
Parameter
Small Signal Gain
Output Power at 1dB Compression
Output Third Intercept Point
R
Min.
18.0
Specification
Typ.
20.0
17.1
8.0
7.2
20.1
18.0
5000
N
2
3
Frequency (GHz)
EW
4
SiGe HBT
D
Max.
22.0
Unit
dB
dB
dBm
dBm
dBm
dBm
MHz
850MHz
1950MHz
850MHz
1950MHz
850MHz
1950MHz
IG
N
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical
support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.
Applications
PA Driver Amplifier
Cellular, PCS, GSM, UMTS
IF Amplifier
Wireless Data, Satellite
Bandwidth Determined by Return
Loss (>10dB)
Input Return Loss
11.1
dB
1950MHz
Output Return Loss
23.1
dB
1950MHz
Noise Figure
3.0
dB
1950MHz
Device Operating Voltage
2.4
2.7
3.0
V
Device Operating Current
17
20
23
mA
Thermal Resistance
255
°C/W
(Junction - Lead)
Test Conditions: V
S
=5V, I
D
=20mA Typ., OIP
3
Tone Spacing=1MHz, P
OUT
per tone=-5dBm, R
BIAS
=120, T
L
=25°C, Z
S
=Z
L
=50
DS20151109
N
RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-
mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.
O
T
S
High Gain: 17.1dB at
1950MHz
Cascadable 50
Operates from Single Supply
Low Thermal Resistance
Package
Condition
1 of 7
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