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KSC1730YTA_Q

产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小142KB,共7页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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KSC1730YTA_Q概述

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor

KSC1730YTA_Q规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Fairchild
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
RoHSN
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-92-3
Transistor PolarityNPN
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max15 V
Collector- Base Voltage VCBO30 V
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Maximum DC Collector Current0.05 A
Gain Bandwidth Product fT1.1 GHz
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Current Gain hFE Max240
高度
Height
4.58 mm
长度
Length
4.58 mm
系列
Packaging
Ammo Pack
宽度
Width
3.86 mm
Continuous Collector Current0.05 A
DC Collector/Base Gain hfe Min40
NumOfPackaging1
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
250 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
30000
单位重量
Unit Weight
0.008466 oz

 
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