2D256M42U3BA9,2D256M42U3BA9 pdf中文资料,2D256M42U3BA9引脚图,2D256M42U3BA9电路-Datasheet-电子工程世界

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2D256M42U3BA9: 产品描述DDR DRAM, 256MX4, CMOS, PBGA63, 12 X 10 MM, 1.35 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-63; 产品类别存储存储; 文件大小100KB，共4页; 制造商Vertical Circuits Inc

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2D256M42U3BA9概述

DDR DRAM, 256MX4, CMOS, PBGA63, 12 X 10 MM, 1.35 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-63

2D256M42U3BA9规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Vertical Circuits Inc
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA,
针数	63
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B63
JESD-609代码	e1
长度	12 mm
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	63
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	256MX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.35 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	10 mm
Base Number Matches	1

2D256M42U3BA9相似产品对比

	2D256M42U3BA9	2D256M42U3BA7	2D256M42U3BA5	2D256M42U3BA3
描述	DDR DRAM, 256MX4, CMOS, PBGA63, 12 X 10 MM, 1.35 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-63	DDR DRAM, 256MX4, CMOS, PBGA63, 12 X 10 MM, 1.35 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-63	DDR DRAM, 256MX4, CMOS, PBGA63, 12 X 10 MM, 1.35 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-63	DDR DRAM, 256MX4, CMOS, PBGA63, 12 X 10 MM, 1.35 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-63
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	LFBGA,	LFBGA,	LFBGA,	LFBGA,
针数	63	63	63	63
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B63	R-PBGA-B63	R-PBGA-B63	R-PBGA-B63
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1
长度	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm
内存密度	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	63	63	63	63
字数	268435456 words	268435456 words	268435456 words	268435456 words
字数代码	256000000	256000000	256000000	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	256MX4	256MX4	256MX4	256MX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.35 mm	1.35 mm	1.35 mm	1.35 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm
Base Number Matches	1	1	1	1

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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