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CPH3318

产品描述P-Channel Silicon MOSFET(Ultrahigh-Speed Switching Applications)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小32KB,共4页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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CPH3318概述

P-Channel Silicon MOSFET(Ultrahigh-Speed Switching Applications)

CPH3318规格参数

参数名称属性值
厂商名称SANYO
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1 A
最大漏极电流 (ID)1 A
最大漏源导通电阻0.55 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.9 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

 
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