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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> WV3EG232M64EFSU335D4MG
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WV3EG232M64EFSU335D4MG

产品描述512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM, UNBUFFERED, w/PLL, FBGA
产品类别存储    存储   
文件大小189KB，共11页
制造商White Electronic Designs Corporation
官网地址http://www.wedc.com/
标准
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WV3EG232M64EFSU335D4MG概述

512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM, UNBUFFERED, w/PLL, FBGA

WV3EG232M64EFSU335D4MG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称White Electronic Designs Corporation
包装说明DIMM,
Reach Compliance Codeunknow
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XZMA-N200
内存密度4294967296 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

WV3EG232M64EFSU335D4MG相似产品对比

WV3EG232M64EFSU335D4MG WV3EG232M64EFSU-D4 WV3EG232M64EFSU262D4MG WV3EG232M64EFSU265D4MG WV3EG232M64EFSU335D4SG WV3EG232M64EFSU262D4SG WV3EG232M64EFSU265D4SG
描述 512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM, UNBUFFERED, w/PLL, FBGA 512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM, UNBUFFERED, w/PLL, FBGA 512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM, UNBUFFERED, w/PLL, FBGA 512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM, UNBUFFERED, w/PLL, FBGA 512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM, UNBUFFERED, w/PLL, FBGA 512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM, UNBUFFERED, w/PLL, FBGA 512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM, UNBUFFERED, w/PLL, FBGA
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 White Electronic Designs Corporation - White Electronic Designs Corporation White Electronic Designs Corporation White Electronic Designs Corporation White Electronic Designs Corporation White Electronic Designs Corporation
包装说明 DIMM, - DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM,
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow unknow unknow unknow
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST - DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.7 ns - 0.75 ns 0.75 ns 0.7 ns 0.75 ns 0.75 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XZMA-N200 - R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200 R-XZMA-N200
内存密度 4294967296 bi - 4294967296 bi 4294967296 bi 4294967296 bi 4294967296 bi 4294967296 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE - DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 - 64 64 64 64 64
功能数量 1 - 1 1 1 1 1
端口数量 1 - 1 1 1 1 1
端子数量 200 - 200 200 200 200 200
字数 67108864 words - 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words
字数代码 64000000 - 64000000 64000000 64000000 64000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64MX64 - 64MX64 64MX64 64MX64 64MX64 64MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED - UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM - DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES - YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V - 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V - 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V - 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO - NO NO NO NO NO
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD - NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 ZIG-ZAG - ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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