电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

WEDPN8M64V-133B2M

产品描述8Mx64 Synchronous DRAM
产品类别存储    存储   
文件大小461KB,共15页
制造商White Electronic Designs Corporation
官网地址http://www.wedc.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

WEDPN8M64V-133B2M概述

8Mx64 Synchronous DRAM

WEDPN8M64V-133B2M规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称White Electronic Designs Corporation
包装说明BGA,
Reach Compliance Codeunknow
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
备用内存宽度32
JESD-30 代码S-PBGA-B219
内存密度536870912 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量219
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8MX64
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

WEDPN8M64V-133B2M相似产品对比

WEDPN8M64V-133B2M WEDPN8M64V-100B2M WEDPN8M64V-XB2X WEDPN8M64V-125B2M WEDPN8M64V-133B2I WEDPN8M64V-133B2C WEDPN8M64V-125B2I WEDPN8M64V-125B2C WEDPN8M64V-100B2C WEDPN8M64V-100B2I
描述 8Mx64 Synchronous DRAM 8Mx64 Synchronous DRAM 8Mx64 Synchronous DRAM 8Mx64 Synchronous DRAM 8Mx64 Synchronous DRAM 8Mx64 Synchronous DRAM 8Mx64 Synchronous DRAM 8Mx64 Synchronous DRAM 8Mx64 Synchronous DRAM 8Mx64 Synchronous DRAM
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 White Electronic Designs Corporation White Electronic Designs Corporation - White Electronic Designs Corporation White Electronic Designs Corporation White Electronic Designs Corporation White Electronic Designs Corporation White Electronic Designs Corporation White Electronic Designs Corporation White Electronic Designs Corporation
包装说明 BGA, BGA, - BGA, BGA, BGA, BGA, BGA, BGA, BGA,
Reach Compliance Code unknow unknow - unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST - FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.5 ns 7 ns - 6 ns 5.5 ns 5.5 ns 6 ns 6 ns 7 ns 7 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
备用内存宽度 32 32 - 32 32 32 32 32 32 32
JESD-30 代码 S-PBGA-B219 S-PBGA-B219 - S-PBGA-B219 S-PBGA-B219 S-PBGA-B219 S-PBGA-B219 S-PBGA-B219 S-PBGA-B219 S-PBGA-B219
内存密度 536870912 bi 536870912 bi - 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM - SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 64 64 - 64 64 64 64 64 64 64
功能数量 1 1 - 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 - 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 219 219 - 219 219 219 219 219 219 219
字数 8388608 words 8388608 words - 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 - 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C - 125 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C - -55 °C -40 °C - -40 °C - - -40 °C
组织 8MX64 8MX64 - 8MX64 8MX64 8MX64 8MX64 8MX64 8MX64 8MX64
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA - BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
封装形状 SQUARE SQUARE - SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY - GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES - YES YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V - 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V - 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V - 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES - YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY - MILITARY INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL - BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1.27 mm 1.27 mm - 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM - BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
怎么解除the object is part of a locked union
如题,移动一个元器件的时候显示下图,多个元器件被锁定到一起移动,怎么解除这种锁定...
放开那个鸡腿 PCB设计
瑞萨电子设计大赛-自动化控制盒三
[align=center][b]R7F0C809[/b][b]点亮一个[/b][b]LED[/b][b]灯[/b][/align][align=left][/align][align=left][font=宋体]拿到开发板这么久了,今天让我们来学习一下如何点亮一个[/font]LED[font=宋体]灯吧。[/font][/align][align=left][font=宋体]大家可能都会发现,...
liaoyuanhong 瑞萨电子MCU
MEGA16 4位数码管动态显示实验 请教高手啊
SPI接口实险,动态LED数据管显示实验。1、程序通过SPI接口输出数据到HC595芯片驱动LED数据管简单显示。2、动态调度由片内定时器1中断产生,中断周期为5mS。3、内部1 M晶振,程序采用单任务方式,软件延时。程序采用模块化编程,下面为主函数文件:#include "iom16v.h"extern unsigned char led_buf[];extern void Disp_Init(...
manly88 嵌入式系统
点亮电容
...
littleshrimp 综合技术交流
矩阵键盘代码分享
//这里将共阳数码管位选信号省略了module mat_keyscan(clk,rst_n,col,val,seg_data); //接口设置input clk,rst_n;input [3:0] val; //4行output reg [3:0] col; //4列output reg [7:0] seg_data; //输出所按下键的编号wire [7:0] data;assign data=...
eeleader FPGA/CPLD

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 222  328  501  1355  1465 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved