W3EG6467S-D4,W3EG6467S-D4 pdf中文资料,W3EG6467S-D4引脚图,W3EG6467S-D4电路-Datasheet-电子工程世界

W3EG6467S-D4: 产品描述512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED; 文件大小196KB，共12页; 制造商White Electronic Designs Corporation; 官网地址http://www.wedc.com/

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W3EG6467S-D4概述

512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED

W3EG6467S-D4相似产品对比

	W3EG6467S-D4	W3EG6467S265D4	W3EG6467S202D4
描述	512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED	512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED	512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED
厂商名称	-	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation
包装说明	-	DIMM,	DIMM,
Reach Compliance Code	-	unknow	unknow
访问模式	-	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	-	0.75 ns	0.8 ns
其他特性	-	AUTO/SELF REFRESH; LG-MAX; WD-MAX	AUTO/SELF REFRESH; LG-MAX; WD-MAX
JESD-30 代码	-	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200
长度	-	67.56 mm	67.56 mm
内存密度	-	1073741824 bi	1073741824 bi
内存集成电路类型	-	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	-	16	16
功能数量	-	1	1
端口数量	-	1	1
端子数量	-	200	200
字数	-	67108864 words	67108864 words
字数代码	-	64000000	64000000
工作模式	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	-	70 °C	70 °C
组织	-	64MX16	64MX16
封装主体材料	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	-	DIMM	DIMM
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	-	35.05 mm	35.05 mm
自我刷新	-	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	-	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	-	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	-	2.5 V	2.5 V
表面贴装	-	NO	NO
技术	-	CMOS	CMOS
温度等级	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	-	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	-	DUAL	DUAL
宽度	-	3.81 mm	3.81 mm

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