2014-01-10
Silicon PIN Photodiode
Silizium-PIN-Fotodiode
Version 1.1
BPX 61
• Suitable up to 125 °C
• Especially suitable for applications from 400 nm to
1100 nm
• Short switching time (typ. 20 ns)
• Hermetically sealed metal package (similar to
TO-5)
Features:
• Geeignet bis 125 °C
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von
400 nm bis 1100 nm
• Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
• Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich TO-5)
Besondere Merkmale:
Applications
•
•
•
•
Industrial electronics
For control and drive circuits
Photointerrupters
IR remote control of hi-fi and TV sets, video tape
recorders, dimmers, remote controls of various
equipment
•
•
•
•
Anwendungen
Industrieelektronik
Messen / Steuern / Regeln
Lichtschranken
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern,
Gerätefernsteuerungen
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Photocurrent
Fotostrom
E
v
= 1000 lx, Std. Light A, V
R
= 5 V
I
P
[µA]
BPX 61
70 (≥ 50)
Q62705P0025
Ordering Code
Bestellnummer
2014-01-10
1
Version 1.1
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Total power dissipation
Verlustleistung
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Spectral sensitivity
Fotoempfindlichkeit
(V
R
= 5 V)
Photocurrent
Fotostrom
(E
v
= 1000 lx, Std. Light A, V
R
= 5 V)
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Half angle
Halbwinkel
Dark current
Dunkelstrom
(V
R
= 10 V)
Spectral sensitivity of the chip
Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips
(λ = 850 nm)
Symbol
Symbol
S
Values
Werte
70 (≥ 50)
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
R
P
tot
Values
Werte
-40 ... 125
32
250
BPX 61
Unit
Einheit
°C
V
mW
Unit
Einheit
nA/Ix
I
P
70 (≥ 50)
µA
λ
S max
λ
10%
A
LxW
850
400 ... 1100
7.02
2.65 x 2.65
nm
nm
mm
2
mm x
mm
°
nA
ϕ
I
R
± 55
2 (≤ 30)
S
λ
typ
0.62
A/W
2014-01-10
2
Version 1.1
Parameter
Bezeichnung
Quantum yield of the chip
Quantenausbeute des Chips
(λ = 850 nm)
Open-circuit voltage
Leerlaufspannung
(E
v
= 1000 lx, Std. Light A)
Short-circuit current
Kurzschlussstrom
(E
v
= 1000 lx, Std. Light A)
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(V
R
= 5 V, R
L
= 50
Ω, λ
= 850 nm, I
P
= 800 µA)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA,
E
= 0)
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Temperature coefficient of V
O
Temperaturkoeffizient von V
O
Temperature coefficient of I
SC
Temperaturkoeffizient von I
SC
(Std. Light A)
Noise equivalent power
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
(V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm)
Detection limit
Nachweisgrenze
Symbol
Symbol
η
Values
Werte
0.90
BPX 61
Unit
Einheit
Electro
ns
/Photon
mV
V
O
375 (≥ 320)
I
SC
70
µA
t
r
, t
f
0.02
µs
V
F
1.3
V
C
0
72
pF
TC
V
TC
I
-2.6
0.18
mV / K
%/K
NEP
0.041
pW /
Hz
½
cm x
Hz
½
/ W
D
*
6.5e12
2014-01-10
3
Version 1.1
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
S
rel
= f(λ)
100
S
rel
%
80
OHF00078
BPX 61
Photocurrent / Open-Circuit Voltage
Fotostrom / Leerlaufspannung
I
P
(V
R
= 5 V) / V
O
= f(E
V
)
60
40
20
0
400 500 600 700 800 900 nm 1100
λ
Total Power Dissipation
Verlustleistung
P
tot
= f(T
A
)
Dark Current
Dunkelstrom
I
R
= f(V
R
), E = 0
4000
OHF00080
Ι
R
pA
3000
2000
1000
0
0
5
10
15
V
V
R
20
2014-01-10
4
Version 1.1
Capacitance
Kapazität
C = f(V
R
), f = 1 MHz, E = 0
100
C
pF
80
10
2
OHF00081
BPX 61
Dark Current
Dunkelstrom
I
R
= f(T
A
), V
R
= 10 V, E = 0
10
3
OHF00082
Ι
R
nA
70
60
50
40
30
20
10
0
-2
10
10
-1
10
1
10
0
10
0
10
1
V 10
V
R
2
10
-1
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
Directional Characteristics
Winkeldiagramm
S
rel
= f(ϕ)
2014-01-10
5
京公网安备 11010802033920号
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