2007-04-18
Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Version 1.0
BP 104 FASR
• Especially suitable for applications from
730 nm... 1100 nm
• Short switching time (typ. 20 ns)
• Suitable for SMT
Features:
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von
730 nm bis 1100 nm
• Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
• SMT-fähig
Besondere Merkmale:
Applications
• Photointerrupters
• IR remote control of hi-fi and TV sets, video tape
recorders, dimmers, remote controls of various
equipment
• Lichtschranken
• IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern,
Gerätefernsteuerungen
Anwendungen
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Photocurrent
Fotostrom
λ
= 870 nm, E
e
= 1 mW/cm
2
, V
R
= 5 V
I
P
[µA]
BP 104 FASR
34 (≥ 25)
Q65110A4263
Ordering Code
Bestellnummer
2007-04-18
1
Version 1.0
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Total power dissipation
Verlustleistung
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Photocurrent
Fotostrom
(V
R
= 5 V,
λ
= 870 nm, E
e
= 1 mW/cm
2
)
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Half angle
Halbwinkel
Dark current
Dunkelstrom
(V
R
= 10 V)
Spectral sensitivity of the chip
Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips
(λ = 870 nm)
Quantum yield of the chip
Quantenausbeute des Chips
(
λ
= 870 nm)
Symbol
Symbol
I
P
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
R
P
tot
Values
Werte
-40 ... 100
20
150
BP 104 FASR
Unit
Einheit
°C
V
mW
Values
Werte
34 (≥ 25)
Unit
Einheit
µA
λ
S max
λ
10%
A
LxW
880
730 ... 1100
4.84
2.2 x 2.2
nm
nm
mm
2
mm x
mm
°
nA
ϕ
I
R
± 60
2 (≤ 30)
S
λ
typ
0.63
A/W
η
0.90
Electro
ns
/Photon
2007-04-18
2
Version 1.0
Parameter
Bezeichnung
Open-circuit voltage
Leerlaufspannung
(E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 870 nm)
Short-circuit current
Kurzschlussstrom
(E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 870 nm)
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(V
R
= 5 V, R
L
= 50
Ω, λ
= 850 nm)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA, E = 0)
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Temperature coefficient of V
O
Temperaturkoeffizient von V
O
Temperature coefficient of I
SC
Temperaturkoeffizient von I
SC
(λ = 870 nm)
Noise equivalent power
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
(V
R
= 10 V,
λ
= 870 nm)
Detection limit
Nachweisgrenze
Symbol
Symbol
V
O
BP 104 FASR
Values
Werte
330 (≥ 250)
Unit
Einheit
mV
I
SC
16
µA
t
r
, t
f
0.02
µs
V
F
1.3
V
C
0
48
pF
TC
V
TC
I
-2.6
0.1
mV / K
%/K
NEP
0.040
pW /
Hz
½
cm x
Hz
½
/ W
D
*
5.5e12
2007-04-18
3
Version 1.0
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
S
rel
= f(λ)
100
S
rel
%
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400
600
800
1000 nm 1200
λ
10
-1
10
0
10
0
10
1
OHF01430
BP 104 FASR
Photocurrent / Open-Circuit Voltage
Fotostrom / Leerlaufspannung
I
P
(V
R
= 5 V) / V
O
= f(E
e
)
10
3
μ
A
OHF01056
Ι
P
10
4
mV
V
O
10
3
10
2
V
O
10
2
Ι
P
10
1
10
0
10
1
10
2
μ
W/cm
2
10
4
E
e
Total Power Dissipation
Verlustleistung
P
tot
= f(T
A
)
160
mW
P
tot
140
120
100
80
60
40
20
0
OHF00958
Dark Current
Dunkelstrom
I
R
= f(V
R
), E = 0
4000
OHF00080
Ι
R
pA
3000
2000
1000
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
0
0
5
10
15
V
V
R
20
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4
Version 1.0
Dark Current
Dunkelstrom
I
R
= f(V
R
), E = 0
10
2
nA
OHF02284
BP 104 FASR
Capacitance
Kapazität
C = f(V
R
), f = 1 MHz, E = 0
60
C
pF
50
OHF01778
Ι
R
10
1
40
30
10
0
20
10
10
-1
0
2
4
6
8 10 12 14 16 V 20
V
R
0
-2
10
10
-1
10
0
10
1
V 10
2
V
R
Dark Current
Dunkelstrom
I
R
= f(T
A
), V
R
= 10 V, E = 0
10
3
OHF00082
Ι
R
nA
10
2
10
1
10
0
10
-1
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
2007-04-18
5
京公网安备 11010802033920号
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