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USF3G48

产品描述THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小234KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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USF3G48概述

THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE

USF3G48规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接ANODE
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流10 mA
最大直流栅极触发电压1 V
最大维持电流40 mA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大漏电流0.01 mA
通态非重复峰值电流50 A
元件数量1
端子数量2
最大通态电流3000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流4.7 A
重复峰值关态漏电流最大值10 µA
断态重复峰值电压400 V
重复峰值反向电压400 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型SCR

USF3G48文档预览

SF3G48,SF3J48,USF3G48,USF3J48
TOSHIBA THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
SF3G48,SF3J48,USF3G48,USF3J48
MEDIUM POWER CONTROL APPLICATIONS
l
Repetitive Peak Off−State Voltage : V
DRM
= 400,600V
Repetitive Peak Reverse Voltage
: V
RRM
= 400,600V
l
Average On−State Current
l
Gate Trigger Current
SF3G48·SF3J48
: I
T (AV)
= 3A
: I
GT
=
10mA
MAX.
Unit: mm
USF3G48·USF3J48
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
13−10J1B
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
13−10J2B
Weight: 1.7g
MARKING
*1
MARK
F3G48
F3J48
TYPE
NAME
SF3G48, USF3G48
SF3J48, USF3J48
*2
1
2001-07-10
SF3G48,SF3J48,USF3G48,USF3J48
MAXIMUM RATINGS
CHARACTERISTIC
Repetitive Peak
Off−State Voltage and
Repetitive Peak
Reverse Voltage
Non−Repetitive Peak
Reverse Voltage
(Non−Repetitive <5ms,
T
j
= 0~125°C)
Average On−State Current
R.M.S On−State Current
Peak One Cycle Surge On−State
Current (Non−Repetitive)
I t Limit Value
Critical Rate of Rise of On−State
Current
(Note 1)
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Forward Gate Voltage
Peak Reverse Gate Voltage
Peak Forward Gate Current
Junction Temperature
Storage Temperature Range
2
SYMBOL
RATING
400
UNIT
SF3G48
USF3G48
SF3J48
USF3J48
SF3G48
USF3G48
SF3J48
USF3J48
V
DRM
V
RRM
V
600
500
V
RSM
720
I
T (AV)
I
T (RMS)
I
TSM
I t
di / dt
P
GM
P
G (AV)
V
FGM
V
RGM
I
GM
T
j
T
stg
2
V
3
4.7
50 (50Hz)
55 (60Hz)
12.5
100
5
0.5
10
−5
2
−40~125
−40~125
A
A
A
A s
A / µs
W
W
V
V
A
°C
°C
2
Note 1: V
DRM
= 0.5 × Rated
I
TM
12A
t
gw
10µs
t
gr
250ns
i
gp
= I
GT
× 2.0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ta = 25°C)
CHARACTERISTIC
Repetitive Peak Off−State Current and
Repetitive Peak Reverse Current
Peak On−State Voltage
Gate Trigger Voltage
Gate Trigger Current
Gate Non−Trigger Voltage
Critical Rate of Rise of Off−State Voltage
Holding Current
Latching Current
Thermal Resistance
SYMBOL
I
DRM
I
RRM
V
TM
V
GT
I
GT
V
GD
dv / dt
I
H
I
L
R
th (j−c)
TEST CONDITION
V
DRM
= V
RRM
= Rated
I
TM
= 12A
V
D
= 6V, R
L
= 10Ω
V
D
= Rated × 2 / 3, Tc = 125°C
V
DRM
= Rated, Tc = 125°C
Exponential Rise
V
D
= 6V, I
TM
= 1A
V
D
= 6V, f = 50Hz
t
gw
= 50µs, i
G
= 30mA
Junction to Case, DC
MIN
0.2
TYP.
50
MAX
10
1.5
1.0
10
40
50
3.6
UNIT
µA
V
V
mA
V
V / µs
mA
mA
°C / W
2
2001-07-10
SF3G48,SF3J48,USF3G48,USF3J48
3
2001-07-10
SF3G48,SF3J48,USF3G48,USF3J48
4
2001-07-10
SF3G48,SF3J48,USF3G48,USF3J48
5
2001-07-10

USF3G48相似产品对比

USF3G48 SF3G48 SF3J48 USF3J48
描述 THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最大直流栅极触发电流 10 mA 10 mA 10 mA 10 mA
最大直流栅极触发电压 1 V 1 V 1 V 1 V
最大维持电流 40 mA 40 mA 40 mA 40 mA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
最大漏电流 0.01 mA 0.01 mA 0.01 mA 0.01 mA
通态非重复峰值电流 50 A 50 A 50 A 50 A
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 3 3 2
最大通态电流 3000 A 3000 A 3000 A 3000 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 4.7 A 4.7 A 4.7 A 4.7 A
重复峰值关态漏电流最大值 10 µA 10 µA 10 µA 10 µA
断态重复峰值电压 400 V 400 V 600 V 600 V
重复峰值反向电压 400 V 400 V 600 V 600 V
表面贴装 YES NO NO YES
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR

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