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MMBD7000

产品描述0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小286KB,共4页
制造商Weitron Technology
官网地址http://weitron.com.tw/
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MMBD7000概述

0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE

0.2 A, 100 V, 硅, 信号二极管

MMBD7000规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Weitron Technology
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.225 W
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

MMBD7000相似产品对比

MMBD7000 MMBD2838
描述 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.45 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Weitron Technology Weitron Technology
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.7 V 1 V
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 2 2
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 0.2 A 0.1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.225 W 0.225 W
最大重复峰值反向电压 100 V 75 V
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
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