IGBT Chip in NPT-technology
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
零件包装代码 | DIE |
包装说明 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compli |
最大集电极电流 (IC) | 32 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | SINGLE |
门极发射器阈值电压最大值 | 6.5 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 470 ns |
标称接通时间 (ton) | 100 ns |
SIGC25T120C | SIGC25T120CX1SA3 | SIGC25T120CX1SA4 | |
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描述 | IGBT Chip in NPT-technology | Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-3 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-3 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N3 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N3 | UNCASED CHIP, R-XUUC-N3 |
Reach Compliance Code | compli | compliant | compliant |
最大集电极电流 (IC) | 32 A | 32 A | 32 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V | 1200 V | 1200 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
JESD-30 代码 | R-XUUC-N3 | R-XUUC-N3 | R-XUUC-N3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | UNCASED CHIP | UNCASED CHIP | UNCASED CHIP |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES | YES | YES |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | UPPER | UPPER | UPPER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 470 ns | 470 ns | 470 ns |
标称接通时间 (ton) | 100 ns | 100 ns | 100 ns |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
零件包装代码 | DIE | DIE | - |
针数 | 3 | 3 | - |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
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